该器件采用了ST专有STripFET技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中表现出最低的RDS(开启)。
特色
- N通道增强模式
- 较低RDS(on)xareavspreviousgeneration
- 100%雪崩
起订量: 1
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该器件采用了ST专有STripFET技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中表现出最低的RDS(开启)。
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