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IPP60R170CFD7XKSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 30.27532 30.27532
10+ 27.21157 272.11575
100+ 22.29364 2229.36460
500+ 19.05462 9527.31050
  • 库存: 248
  • 单价: ¥26.36416
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥30.28
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大功耗 75W (Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TO220-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 28 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 14A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 170毫欧姆@6A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 300A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1199 pF@400 V

IPP60R170CFD7XKSA1 产品详情

IPP60R170CFD7XKSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPP60R170CFD7XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPP60R170CFD7XKSA1价格参考¥26.364156,你可以下载 IPP60R170CFD7XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPP60R170CFD7XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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