9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN6R3-120PS，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN6R3-120PS参考价格$3.64000。Nexperia USA Inc.PSMN6R3-120PS封装/规格：MOSFET N-CH 120V 70A TO220AB。您可以下载PSMN6R3-120PS英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PSMN6R3-120ESQ带有引脚细节，包括管封装，其设计为单位重量为0.084199盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供I2PAK-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供405 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为67.7 ns，上升时间为58.2 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为70 A，Vds漏极-源极击穿电压为120V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为142.1ns，典型接通延迟时间为42.1ns，Qg栅极电荷为207.1nC。
带有用户指南的PSMN6R0-30YLDX，包括1.83 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为10.5 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为16.2 ns，器件的漏极-源极电阻为6.7 mOhms，Qg栅极电荷为13.7 nC，Pd功耗为47 W，封装为卷轴式，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为66 A，下降时间为10.9 ns，配置为单一，通道模式为增强。
带有电路图的PSMN6R1-30YLDX，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间如数据表注释所示，用于7.2 ns，提供Id连续漏电流功能，如66 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用LFPAK-4封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为47W，Qg栅极电荷为13.6nC，Rds漏极-源极电阻为6.5mOhm，上升时间为11ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为9.8ns，典型接通延迟时间为7.5ns，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为1.68V。
