IPAN80R280P7XKSA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 25.18790 | 25.18790 |
- 库存: 10
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- +
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规格参数
- 宽(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 最大功耗 30W (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 800 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 17A(Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 280毫欧姆@7.2A,10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@360A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 36 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1200 pF @ 500 V
- 供应商设备包装 PG-TO220-3-FP
IPAN80R280P7XKSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPAN80R280P7XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPAN80R280P7XKSA1价格参考¥25.187909,你可以下载 IPAN80R280P7XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPAN80R280P7XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。