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PSMN4R8-100BSEJ是MOSFET N-CH 100V D2PAK，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计为以0.13932盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在D2PAK供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为405W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为14400pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为120A（Tj），最大Id Vgs的Rds为4.8mOhm@25A，10V，Vgs最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为278nC@10V，Pd功耗为406 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为69 ns，上升时间为65 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为127ns，典型导通延迟时间为41ns，Qg栅极电荷为196nC，信道模式是增强。
带有用户指南的PSMN4R8-100PSEQ，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了管、通道数等封装功能，设计为在1个通道中工作。
PSMN5R0-100BS，带有VB制造的电路图。PSMN5R10-100BS采用（DPAK）封装，是IC芯片的一部分。
PSMN5R0-100ES是PHILIPS制造的MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK。PSMN5R0-100ES提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK。
