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FCPF11N60NT

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.8A(Tc) 最大功耗: 32.1W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 30.92718 30.92718
10+ 27.79100 277.91007
100+ 22.76950 2276.95050
500+ 19.38330 9691.65200
1000+ 18.57659 18576.59000
  • 库存: 675
  • 单价: ¥30.92718
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥30.93
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 供应商设备包装 TO-220F-3
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10.8A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 299毫欧姆@5.4A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 35.6 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1505 pF@100 V
  • 最大功耗 32.1W (Tc)

FCPF11N60NT 产品详情

SupreMOS®MOSFET是采用深沟槽填充工艺的下一代高压超结(SJ)技术,与传统SJ MOSFET不同。这种先进的技术和精确的过程控制提供了最低的Rsp导通电阻、优异的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关电源转换器应用,如PFC、服务器/电信电源、FPD电视电源、ATX电源和工业电源应用。

特色

  • RDS(开启)=255mΩ (典型)@VGS=10V,ID=5.4A
  • 超低栅极电荷(典型Qg=27.4nC)
  • 低有效输出电容(Typ.Coss.eff=130pF)
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FCPF11N60NT所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FCPF11N60NT 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FCPF11N60NT价格参考¥30.927183,你可以下载 FCPF11N60NT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FCPF11N60NT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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