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IRFP4229PBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.05072 9.05072
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  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.05
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 供应商设备包装 TO-247AC
  • 包装/外壳 至247-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 漏源电压标 (Vdss) 250伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 110 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 44A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 46毫欧姆 @ 26A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4560 pF @ 25 V
  • 最大功耗 310W (Tc)
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

IRFP4229PBF 产品详情

电机控制和AC-DC同步整流器MOSFET,Infineon电机控制MOSFET

英飞凌为电机控制应用提供了一系列坚固的N沟道和P沟道MOSFET器件。

同步整流器MOSFET

用于AC-DC电源的同步整流MOSFET器件组合支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便携性和更灵活系统的需求。

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 针对10 V栅极驱动电压(称为正常电平)进行了优化
  • 行业标准通孔电源组件
  • 高载流能力封装(高达195 A,取决于管芯尺寸)
  • 针对高功率密度
IRFP4229PBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRFP4229PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRFP4229PBF价格参考¥9.050728,你可以下载 IRFP4229PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRFP4229PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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