RFP50N06

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 131W（Tc）供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
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规格参数

场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
漏源电压标 (Vdss) 60 V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
安装类别通孔
供应商设备包装 TO-220-3
包装/外壳至220-3
漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
部件状态过时的
制造厂商
导通电阻 Rds(ON) 22毫欧姆@50A，10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 150 nC@20 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2020 pF@25 V
最大功耗 131W（Tc）

RFP50N06 产品详情

这些N沟道功率MOSFET使用MegaFET工艺制造。该工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，从而优化了硅的利用率，从而获得了优异的性能。它们设计用于开关调节器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接从集成电路操作。以前的开发型TA49018。

官方网站：https://w w.onsemi.com/PowerSolutions/product.do？id=RFP50N06

绝对最大额定值

特色

50A，60V
rDS（开）=0.022Ω
温度补偿PSPICE®型号
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS评级曲线
175°C工作温度

应用

其他工业

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型号	制造商	描述	价格
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RFPIC12F675HT-I/SS	微芯 (Microchip)	程序内存类型: FLASH（1.75kB）电源电压: 2伏~5.5伏供应商设备包装: 20-SSOP 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度安装类别: 表面安装	¥33.57084
RFPP30P	布雷迪 (Brady)	(RFPP) RFPP30P RECYC ROLL 30X150	¥1,709.25197
RFP100	布雷迪 (Brady)	(RFP) RFP100, PAD, 15"X19", HVY,	¥651.78857
RFP28-DP	布雷迪 (Brady)	(RFP) RFP28DP, ROLL, 28.5"X150',	¥1,144.30577

RFP50N06所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RFP50N06 由设计生产，可通过久芯网进行购买。RFP50N06价格参考￥6.311463，你可以下载 RFP50N06中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RFP50N06规格参数、现货库存、封装信息等信息！