9icnet为您提供由其他公司设计和生产的IRLS540A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLS540A参考价格为0.66000美元。其他IRLS540A封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载IRLS540A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRLS4030TRL7PP是MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7，包括卷筒包装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单频源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供370 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为87 ns，上升时间为160 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏电流为190 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为3.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为53ns，Qg栅极电荷为93nC，沟道模式为增强。
IRLS4030TRLPBF是MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK，包括2.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作330ns上升时间。此外，Rds漏极-源极电阻为4.3毫欧，器件提供130 nC Qg栅极电荷，器件具有370 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏极电流为180 a，正向跨导Min为320S，下降时间为170ns，配置为Single。
IRLS4030TRR，带有由IR制造的电路图。IRLS4030 TRR采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
IRLS520A，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。IRLS520A采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
