9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFB18N50KPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFB18N50KPBF参考价格为5.29000美元。Vishay Siliconix IRFB18N50KPBF封装/规格：MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB。您可以下载IRFB18N50KPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFB17N50LPBF是MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供220 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为51 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为16 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极导通电阻为320mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为21ns，沟道模式为增强。
IRFB18N50K是MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如22 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为60 ns，器件的漏极电阻为290 mOhms，Pd功耗为220 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为17A，下降时间为30ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFB17N60K是VISHAY制造的MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB。IRFB17N60K采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB、N沟道600V 17A（Tc）340W（Tc）通孔TO-220AA、跨MOSFET N-CH600V 17A 3引脚（3+Tab）TO-220。
