9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF16N90K5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF16N90K5参考价格6.58000美元。STMicroelectronics STF16N90K5封装/规格：MOSFET N-CH 900V 15A TO220FP。您可以下载STF16N90K5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STF16N50M2带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有25W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为7.6 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为13 a，Vds漏极-源极击穿电压为550V，第Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为280mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为9.6ns，Qg栅极电荷为19.5nC。
STF15NM65N是MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件的上升时间为8 ns，漏极电阻Rds为270 mOhms，Pd功耗为35 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为15.5 A，下降时间为26 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STF16A60，电路图由SEMIWELL制造。STF16A60采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
