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FDD6676S

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 78A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 451

数量 单价 合计
451+ 4.85274 2188.58709
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 最大功耗 1.3W(Ta)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
  • 供应商设备包装 TO-252,(D-Pak)
  • 制造厂商
  • 导通电阻 Rds(ON) 6毫欧姆 @ 16A, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 78A (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 58 nC @ 5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4770 pF @ 15 V

FDD6676S 产品详情

FDD6676S所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDD6676S 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDD6676S价格参考¥4.852743,你可以下载 FDD6676S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDD6676S规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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