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IPP041N12N3 G是MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP041N1 2N3GXK IPP041N 2N3GXKSA1 SP000652746，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为300W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21ns，上升时间为52ns，Vgs栅源电压为20V，并且Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为120V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-电源电阻为3.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为35ns，Qg栅极电荷为158nC，正向跨导最小值为165 S 83 S。
IPP041N12N3GXK，带有用户指南，包括4 V Vgs第四栅极-源极阈值电压，它们设计为在2 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于120 V，提供单位重量功能，如0.211644 oz，典型开启延迟时间设计为35 ns，以及70 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有52 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为3.8 mOhms，Qg栅极电荷为211 nC，Pd功耗为300 W，部件别名为G IPP041N12N3 IPP041N1 2N3GXKSA1 SP000652746，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为120 A，正向跨导最小值为165 S 83 S，下降时间为21 ns。
IPP041N12N3G是由INF制造的MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3。IPP041N2N3G采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH120V 120A-TO220-3。
