9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPA105N15N3GXKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPA105N15N3GXKSA1参考价格为5.18000美元。Infineon Technologies IPA105N15N3GXKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP。您可以下载IPA105N15N3GXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPA093N06N3 G是MOSFET N-Ch 60V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPA093N6N3GXK IPA093M06N3GXKSA1 SP000451088，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为33 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为43A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为36nC，正向跨导最小值为51S，并且信道模式是增强。
IPA100N08N3 G是MOSFET N-Ch 80V 40A TO220FP-3 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在80 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为23 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有OptiMOS 3系列，上升时间为30 ns，漏极-源极电阻Rds为10 mOhms，Qg栅极电荷为9 nC，Pd功耗为35 W，部件别名为IPA100N08N3GXK IPA100N08N3XKSA1 SP000473900，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数量为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为40 A，下降时间为5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPA105N15N3 G是MOSFET N-Ch 150V 37A TO220FP-3 OptiMOS 3，包括单一配置，它们设计为在9 ns下降时间下工作，Id连续漏电流如数据表注释所示，用于37 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管式封装，器件具有零件别名的IPA105N15N3GXK IPA105N15 N3GXKSA1 SP000677850，Pd功耗为40.5 W，Qg栅极电荷为41 nC，Rds漏极源极电阻为10.5欧姆，上升时间为20 ns，系列为OptiMOS 3，技术为Si，商品名为OptiMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为35nS，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极电压为20V。
