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FCA35N60

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 312.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 58.88477 58.88477
10+ 53.17012 531.70129
100+ 44.01800 4401.80000
500+ 39.34212 19671.06450
  • 库存: 6379
  • 单价: ¥53.52503
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥58.88
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 供应商设备包装 TO-3PN
  • 包装/外壳 至3P-3,SC-65-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 35A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 17.5A、10V时为98毫欧姆
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 181 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6640 pF @ 25 V
  • 最大功耗 312.5W (Tc)

FCA35N60 产品详情

SuperFET®MOSFET是第一代高压超结(SJ)MOSFET系列,它利用电荷平衡技术实现卓越的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项技术旨在最小化传导损耗,提供优异的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET MOSFET非常适合开关电源应用,如PFC、服务器/电信电源、FPD TV电源、ATX电源和工业电源应用。

特色

  • 650V@TJ=150°C
  • 类型。RDS(开)=79mΩ
  • 超低栅极电荷(典型Qg=139nC)
  • 低有效输出电容(Typ.Coss.eff=340pF)
  • 100%雪崩测试

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • 功率因数校正
  • 太阳能逆变器
  • 工业电源应用
  • AC-DC电源
FCA35N60所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FCA35N60 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FCA35N60价格参考¥53.525031,你可以下载 FCA35N60中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FCA35N60规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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