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FCA22N60N

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 205W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 58.30534 58.30534
10+ 52.67036 526.70369
100+ 43.60587 4360.58790
500+ 38.97332 19486.66050
  • 库存: 428
  • 单价: ¥44.32655
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥58.31
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 22A(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-3PN
  • 包装/外壳 至3P-3,SC-65-3
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 10 V
  • 最大功耗 205W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 165毫欧姆@11A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1950 pF@100 V

FCA22N60N 产品详情

SupreMOS®MOSFET,Fairchild半导体

Fairchild带来了新一代600V超级结MOSFET-SupreMOS®。
与Fairchild的600V SuperFET相比,其低RDS(开启)和总栅极电荷的组合带来了40%的优良因数(FOM)™ MOSFET。此外,SupreMOS系列为相同的RDS(开启)提供了低栅极电荷,提供了出色的开关性能,并减少了20%的开关和传导损耗,从而提高了效率。
这些功能使电源能够满足台式PC的ENERGY STAR®80 PLUS黄金级和服务器的白金级。

特色

  • BVDSS=650V@TJ=150°C
  • RDS(开启)=140mΩ (典型)@VGS=10V,ID=11A
  • 超低栅极电荷(典型Qg=45nC)
  • 低有效输出电容(Typ.Coss.eff=196.4pF)
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • 功率因数校正
  • 服务器/电信电源
  • FPD电视电源
  • ATX电源
  • 工业电源应用
FCA22N60N所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FCA22N60N 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FCA22N60N价格参考¥44.326548,你可以下载 FCA22N60N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FCA22N60N规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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