9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP36N60M6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP36N60M6参考价格$6.59000。STMicroelectronics STP36N60M6封装/规格：MOSFET N沟道600V 30A TO220。您可以下载STP36N60M6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP34NM60ND是MOSFET N-CH 600V 29A TO-220AB，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有190 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为61.8 ns，上升时间为53.4 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为29 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为110mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为111ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为80.4nC，沟道模式为增强。
STP35N60DM2是MOSFET，包括3 V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供0.011640 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为21.2 ns，以及68 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为17 ns，器件的漏极-源极电阻为110 mOhms，Qg栅极电荷为54 nC，Pd功耗为210 W，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为28A，下降时间为10.7ns，配置为1N通道，通道模式为增强型。
STP360N4F6是MOSFET N-CH 40V 120A STripFET VI DeepGATE，包括单一配置，它们设计为在120 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在通孔中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，封装为Tube，器件提供300 W Pd功耗，器件具有340 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为1.8 mOhms，系列为N沟道STripFET，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.011640盎司，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第h栅极-源阈值电压为4.5V。
STP35NF10是由ST制造的MOSFET N-CH 100V 40A TO-220。STP35NFC10采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH100V 40A-TO-220、N沟道100V 40V（Tc）115W（Tc）通孔TO-220AB、Trans MOSFET N-CH200V 40A 3引脚（3+Tab）TO-220管。
