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R6030JNZ4C13

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 370W (Tc) 供应商设备包装: TO-247G 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 72.35657 72.35657
10+ 65.33095 653.30958
100+ 54.08852 5408.85290
500+ 47.09971 23549.85500
1000+ 41.43663 41436.63100
  • 库存: 574
  • 单价: ¥72.35657
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥72.36
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 至247-3
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 30A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2500 pF @ 100 V
  • 最大功耗 370W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 143毫欧姆@15A,15V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 7V @ 5.5毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 74 nC @ 15 V
  • 供应商设备包装 TO-247G
  • 材质 -

R6030JNZ4C13 产品详情

R6030JNZ4C13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),R6030JNZ4C13 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。R6030JNZ4C13价格参考¥72.356571,你可以下载 R6030JNZ4C13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询R6030JNZ4C13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

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