9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDP4030L,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FDP4030L参考价格为0.68000美元。其他FDP4030L封装/规格:N沟道功率MOSFET。您可以下载FDP4030L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDP39N20是MOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH,包括管封装,它们设计用于0.063493盎司的单位重量,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供to-220-3等封装外壳功能,技术设计用于Si,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单一配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供251 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为150 ns,上升时间为160 ns,Vgs栅源电压为30 V,Id连续漏电流为39 A,Vds漏极-源极击穿电压为200V,Rds漏极漏极-漏极电阻为66mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为150ns,典型接通延迟时间为30ns,正向跨导最小值为28.5S,沟道模式为增强。
FDP38N35和FSC制造的用户指南。FDP38N35采用TO-220封装,是IC芯片的一部分。
FDP4020P是FSC制造的MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB。FDP4020P在TO-220-3封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB,P沟道20V 16A(Ta)37.5W(Tc)通孔TO-220AA。