9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的R6030JNXC7G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。R6030JNXC7G参考价格为6.85000美元。Rohm Semiconductor R6030JNXC7G封装/规格：MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM。您可以下载R6030JNXC7G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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R6031435ESYA是DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205，包括散装包装，它们设计为与DO-205AB、DO-9、螺柱包装箱一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备包功能，如DO-205AA、DO-9，速度设计为在标准恢复>500ns、>200mA（Io）、，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作50mA@1400V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.5V@800A，该器件提供1400V（1.4kV）直流反向电压Vr Max，该器件具有350A的平均整流电流Io，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-45°C~150°C。
R6031425HSYA是DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205，包括2V@800A正向电压Vf Max。如果设计为在1400V（1.4KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-205AB、DO-9中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1μs，除了散装包装外，该设备还可以用作DO-205AB、DO-9、螺柱包装箱，其工作温度结范围为-45°C~150°C，该设备为底盘螺柱安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50mA@1400V，电流平均整流Io为250A。
R6035ENZ1C9带有电路图，包括散装包装，设计用于R6035ENZ2系列。
R6035ENZC8带有EDA/CAD型号，包括R6035ENZ系列，它们设计用于散装包装。
