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AUIRFZ34N

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 供应商设备包装 TO-220AB
  • 漏源电压标 (Vdss) 55 V
  • 最大功耗 68W (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 700 pF @ 25 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 34 nC @ 10 V
  • 制造厂商
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 29A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 16A, 10V

AUIRFZ34N 产品详情

Infineon汽车N沟道功率MOSFET

英飞凌的AECQ-101汽车认证单芯片N通道器件的全面组合解决了许多应用中的各种电源需求。这一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的N沟道器件和引线封装,以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

AUIRFZ34N所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AUIRFZ34N 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。AUIRFZ34N价格参考¥4.997601,你可以下载 AUIRFZ34N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AUIRFZ34N规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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