描述：HEXFET功率MOSFET
包装：TO-220AB型
描述
国际整流器公司的先进HEXFET功率MOSFET采用先进的处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势，加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计者提供了一种在各种应用中使用的极其高效和可靠的器件。
TO-220封装是所有商用工业应用中功耗最高的封装
大约50瓦。TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
IRF540
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Tc） 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 431
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 431+ | 5.07003 | 2185.18293 |
- 库存: 7111
- 单价: ¥5.07003
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,185.18
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 供应商设备包装 TO-220AB
- 漏源电流 (Id) @ 温度 28A（Tc）
- 最大功耗 150W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 77毫欧姆 @ 17A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 72 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1700 pF @ 25 V
- 部件状态 过时的
IRF540 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
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 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRF540所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF540 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF540价格参考￥5.070030，你可以下载 IRF540中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF540规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
