9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW20N95DK5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW20N95DK5参考价格$8.18000。STMicroelectronics STW20N95DK5封装/规格：MOSFET N-CH 950V 18A TO247。您可以下载STW20N95DK5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW20NK50Z是MOSFET N-CH 500V 17A TO-247，包括SuperMESH？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-247-3以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-247-3，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为190W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Cis-Vds为2600pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为17A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为270 mOhm@8.5A，10V，Vgs最大Id为4.5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为119nC@10V，Pd功耗为190 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为20ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为17A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为270mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为85nC，信道模式是增强。
STW20NC50带有ST制造的用户指南。STW20NC50采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
STW20NK70Z是由ST制造的MOSFET N-CH 700V 20A TO-247。STW20NK 70Z以TO-247-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH700V 20ATO-247、N沟道700V 20A（Tc）350W（Tc）通孔TO-247-3。
STW20NM50是STKOR制造的MOSFET N-CH 550V 20A TO-247。STW20NM50在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 550V 20A TO-247、N沟道550V 20AA（Tc）214W（Tc）通孔TO-247-33、Trans MOSFET N-CH500V 20A 3引脚（3+Tab）TO-247管。
