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PMN27XPE115

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta) 最大功耗: 530mW (Ta), 8.33W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1443

数量 单价 合计
1443+ 1.52100 2194.81598
  • 库存: 55557
  • 单价: ¥1.52101
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,194.82
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 供应商设备包装 6-TSOP
  • 包装/外壳 SC-74,SOT-457
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.4A (Ta)
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)
  • 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 3A, 4.5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.25伏@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22.5 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1770 pF @ 10 V
  • 最大功耗 530mW (Ta), 8.33W (Tc)

PMN27XPE115 产品详情

PMN27XPE115所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PMN27XPE115 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PMN27XPE115价格参考¥1.521009,你可以下载 PMN27XPE115中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PMN27XPE115规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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