9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW68N60M6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW68N60M6参考价格为12.10000美元。STMicroelectronics STW68N60M6封装/规格：MOSFET N-CH 600V TO247-3。您可以下载STW68N60M6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW5NK100Z是MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO-247，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式特征，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有125 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为7.7 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为3.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.7欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为51.5ns，典型接通延迟时间为22.5ns，Qg栅极电荷为42nC，正向跨导最小值为4s，沟道模式为增强。
STW60N10带有ST制造的用户指南。STW60N1 0采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
STW60N65M5是由ST制造的MOSFET N-CH 650V 46A TO-247。STW60N55M5可在TO247封装中获得，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH650V 46A-TO-247、N沟道650V46A（Tc）255W（Tc）通孔TO-247。
STW60NE10是由ST制造的MOSFET N-CH 100V 60A TO-247。STW60NE 10以TO-247-3封装形式提供，是IC芯片的一部分，并支持MOSFET N-CH100V 60A-TO-247、N沟道100V 60V（Tc）180W（Tc。
