增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- 400 mA,60 V RDS(开启)=2Ω @ VGS=10伏。
- 用于极低RDS(ON)的高密度电池设计。
- 电压控制小信号开关。
- 坚固可靠。
- 高饱和电流能力。
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
- 功率MOSFET栅极驱动器
- 伺服电机控制
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 3.62145 | 3.62145 |
10+ | 2.92613 | 29.26132 |
100+ | 1.99107 | 199.10730 |
500+ | 1.49334 | 746.67050 |
1000+ | 1.12004 | 1120.04200 |
2000+ | 1.02668 | 2053.36200 |
5000+ | 0.98996 | 4949.80000 |
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增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。
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