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BS270

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Ta) 最大功耗: 625mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.62145 3.62145
10+ 2.92613 29.26132
100+ 1.99107 199.10730
500+ 1.49334 746.67050
1000+ 1.12004 1120.04200
2000+ 1.02668 2053.36200
5000+ 0.98996 4949.80000
  • 库存: 14735
  • 单价: ¥3.54902
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.62
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 安装类别 通孔
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 供应商设备包装 TO-92-3
  • 包装/外壳 至226-3,至92-3(至226AA)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 25 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 400毫安 (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2欧姆@500毫安,10伏
  • 最大功耗 625mW (Ta)

BS270 产品详情

增强型N沟道MOSFET,Fairchild半导体

增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。

特色

  • 400 mA,60 V RDS(开启)=2Ω @ VGS=10伏。
  • 用于极低RDS(ON)的高密度电池设计。
  • 电压控制小信号开关。
  • 坚固可靠。
  • 高饱和电流能力。

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • 功率MOSFET栅极驱动器
  • 伺服电机控制
BS270所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BS270 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BS270价格参考¥3.549021,你可以下载 BS270中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BS270规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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