9icnet为您提供由onsemi设计和生产的CPH6604-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CPH6604-TL-E参考价格为0.14000美元。onsemi CPH6604-TL-E封装/规格：N沟道硅MOSFET。您可以下载CPH6604-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CPH6538-TL-H是TRANS 2NPN 30V 0.7A 6CPH，包括CPH6538系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装类型如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SC-74、SOT-457等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及6-CPH供应商设备包，该器件还可以用作600mW最大功率。此外，晶体管类型为2 NPN（双），该器件提供700mA集流器Ic Max，该器件具有30V集流器-发射极击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为300@50mA，2V，Vce饱和最大Ib Ic为190mV@10mA，200mA，集流器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为540MHz，Pd功耗为0.6W，集电极-发射极电压VCEO Max为30V，晶体管极性为NPN，发射极基极电压VEBO为5V，连续集电极电流为700mA，DC集电极基极增益hfe Min为300。
CPH6539-TL-H是TRANS 2NPN 30V 1.5A 6CPH，包括30V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@15mA、750mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 NPN（双），提供晶体管极性功能，如NPN，供应商设备包设计用于6-CPH以及CPH6539系列，该器件也可以用作1.2W最大功率。此外，Pd功耗为0.9W，该器件采用带卷（TR）封装，该器件具有SC-74、SOT-457封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，频率转换为500MHz，发射极基极电压VEBO为5V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@100mA，2V，并且DC集电极基极增益hfe最小值为200，集电极Ic最大值为1.5A，集电极截止电流最大值为100nA（ICBO），连续集电极电流为1.5A。集电极-发射极电压VCEO最大值为30V。
CPH6601-TL，电路图由SANYO制造。CPH6601-TL采用SOT-163封装，是IC芯片的一部分。
CPH6601-TL-E，带有SANYO制造的EDA/CAD模型。CPH6601-TL-E在SOT23-6封装中提供，是IC芯片的一部分。
