9icnet为您提供由其他公司设计和生产的SI4431DY，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4431DY价格参考值0.22000美元。其他SI4431DY封装/规格：P沟道MOSFET。您可以下载SI4431DY英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4431CDY-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI4431CDY-GE3中使用的零件别名，该SI4431CPY-GE3提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数量的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为4.2W，晶体管类型为1个P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1006pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为9A（Tc），最大Id Vgs的Rds为32 mOhm@7A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为38nC@10V，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns 11 ns，上升时间为13ns 89ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds导通漏极-漏极电阻为32m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为23ns 22ns，典型导通延迟时间为10ns 38ns，沟道模式为增强。
SI4431CDY-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns 38 ns，典型的关闭延迟时间设计为23 ns 22 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为13 ns 89 ns，器件的漏极-源极电阻为32 mOhms，Pd功耗为2.5 W，零件别名为SI4431CDY-E3，封装为卷轴式，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7 A，下降时间为9 ns 11 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4431CY，带有VISHAY制造的电路图。SI4431CY采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
