IRFB7545PBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 最大功耗 125W（Tc）
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 供应商设备包装 TO-220
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 110 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 95A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 5.9毫欧姆 @ 57A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.7V @ 100A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4010 pF @ 25 V
IRFB7545PBF 产品详情
国际整流器公司宣布扩大其StrongIRFET™ MOSFET产品组合包括用于各种工业应用的60V器件，包括电动工具、轻型电动汽车（LEV）逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护和开关电源（SMPS）二次侧同步整流。60V StrongIRFET的新系列™ 功率MOSFET具有超低导通状态电阻（RDS（on）），可改善低频应用中的性能，非常高的载流能力，软体二极管，以及3 V典型阈值电压，以提高抗噪声能力。该系列中的每一个设备都经过了行业最高雪崩电流水平的100%雪崩测试，以确保为苛刻的工业应用提供最可靠的解决方案。该器件可用于通孔和表面安装D2-PAK封装。
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IRFB7545PBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFB7545PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFB7545PBF价格参考￥2.787792，你可以下载 IRFB7545PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFB7545PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
