9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的R6050JNZ4C13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。R6050JNZ4C13参考价格16.28000美元。Rohm Semiconductor R6050JNZ4C13封装/规格：MOSFET N-CH 600V 50A TO247G。您可以下载R6050JNZ4C13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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R6004ENDTL带有引脚细节，包括R6004END系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SOT-428-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1信道数量的信道，该设备也可用作1 N信道配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供20 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为980mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为15nC，正向跨导最小值为1.5S，沟道模式为增强。
R6004CNDTL是MOSFET 10V驱动Nch MOSFET，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及1.8欧姆Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为TO-252-3，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有4 a的Id连续漏电流。
R6004ENX带有电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计用于散装包装，系列如数据表注释所示，用于R6004ENX，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
R6004ENJTL具有EDA/CAD模型，包括Si技术，设计用于卷筒包装，系列如数据表注释所示，用于R6004ENJ。
