IRFR210BTM

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 200伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A（Tc）最大功耗: 2.5W（Ta），26W（Tc）供应商设备包装: TO-252，（D-Pak）工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌:
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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
漏源电压标 (Vdss) 200伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V
漏源电流 (Id) @ 温度 2.7A（Tc）
供应商设备包装 TO-252，（D-Pak）
制造厂商
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 225 pF@25 V
导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@1.35A，10V
最大功耗 2.5W（Ta），26W（Tc）

IRFR210BTM 产品详情

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IRFR210BTM所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFR210BTM 由设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFR210BTM价格参考￥1.593438，你可以下载 IRFR210BTM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFR210BTM规格参数、现货库存、封装信息等信息！