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IRFR420TRPBF是MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.050717盎司的单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在D-Pak供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Ciss Vds为360pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.4A（Tc），最大Id Vgs的Rds为3 Ohm@1.4A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为19nC@10V，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为8.6 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2.4A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs第th栅极-源阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型导通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为19nC，并且前向跨导Min为1.5S，并且信道模式为增强。
IRFR420TR是由IR制造的MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK。IRFR420TRTO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 2.4A DP AK，N通道500V 2.4A（Tc）2.5W（Ta），42W（Tc）表面安装D-Pak。
IRFR420TRL是由IR制造的MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK。IRFR420TR可提供TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 2.4A DPE、N通道500V 2.4A（Tc）2.5W（Ta）、42W（Tc。
