9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MMDF2P01HDR2，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。MMDF2P01HDR2参考价格为0.14000美元。onsemi MMDF2P01HDR2封装/规格：P沟道功率MOSFET。您可以下载MMDF2P01HDR2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如MMDF2P01HDR2价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
MMDF2N02ER2是MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装型功能。此外，漏极到源极电压Vdss为25V，该器件提供532pF@16V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3.6A，最大Id Vgs的Rds为100 mOhm@2.2A，10V，Vgs th最大Id为3V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为30nC@10V。
MMDF2N02ER2G是MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-SOIC供应商器件封装一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于100 mOhm@2.2A，10V，提供2W等功率最大特性，封装设计用于磁带和卷轴（TR），以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供532pF@16V输入电容Cis-Vds，该器件具有30nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2N通道（双），且FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为25V，电流连续漏极Id 25°C为3.6A。
MMDF2N05ZR2，带有ON制造的电路图。MMDF2N05 ZR2以SOP-8封装形式提供，是IC芯片的一部分。
