9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDD3570，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDD3570参考价格为0.54000美元。其他FDD3570封装/规格：MOSFET N-CH 80V 10A TO252。您可以下载FDD3570英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDD3510H是MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-5、DPAK（4引线+接线片）、to-252AD以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-252-4L，配置为双公共漏极双源极，FET类型为N和P通道，公共漏极，最大功率为1.3W，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极到源极电压Vdss为80V，输入电容Ciss Vds为800pF@40V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.3A，2.8A，Rds On最大Id Vgs为80mOhm@4.3A，10V，Vgs th最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V，Pd功耗为3.1W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为2 ns 5 ns，上升时间为2 ns3 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为80 V，Rds漏极源极电阻为80 mΩ，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为16 ns 25 ns，并且典型的开启延迟时间是7ns 6ns，并且信道模式是增强。
FDD306P是MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，设计用于8 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-12 V，提供单位重量功能，如0.009184 oz，典型开启延迟时间设计为16 ns，以及34 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的TO-252-3，系列为PowerTrenchR，上升时间为8 ns，Rds On Max Id Vgs为28 mOhm@6.7A，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为28 mOhm，Power Max为1.6W，Pd功耗为52 W，部件别名为FDD306P_NL，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+175 C，输入电容Ciss Vds为1290pF@6V，Id连续漏极电流为6.7 A，栅极电荷Qg Vgs为21nC@4.5V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特征为逻辑电平门，1.8V驱动，下降时间为41 ns，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为6.7A（Ta），配置为单级，信道模式是增强。
FDD33003带有电路图，包括最大45mA电流供应，设计用于133.33MHz频率，数据表注释中显示了在±50ppm范围内使用的频率稳定性，提供了启用/禁用、，高度设计为0.051英寸（1.30mm），以及表面安装型，其工作温度范围为-20°C~70°C。此外，输出为CMOS，器件采用4-SMD，无引线（DFN，LCC）封装盒，器件具有散装封装，系列为SaRonix eCera？FD，尺寸尺寸为0.197“L x 0.126”W（5.00mm x 3.20mm），类型为XO（标准），电源电压为3.3V。
