9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD23382F4T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD23382F4T参考价格为0.93000美元。德州仪器CSD23382F4T封装/规格：MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR。您可以下载CSD23382F4T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD23381F4是MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为在3-XFDFN和Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的3-PICOSTAR，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Ciss Vds为236pF@6V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.3A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为175mOhm@500mA，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.14nC@4.5V，Pd功耗为500mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为7 ns，上升时间为3.9 ns，Vgs栅极-源极电压为-8 V，Id连续漏极电流为-2.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，Vgs栅-源极阈值电压为-950 mV，Rds漏极源极电阻为175 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为4.5ns，Qg栅极电荷为1.14nC，正向跨导Min为2S。
CSD23382F4是MOSFET P沟道MOSFET，包括1个P沟道晶体管类型，它们被设计为与P沟道三极管极性一起工作，商品名显示在数据表注释中，用于NexFET，该NexFET提供Si等技术特性，系列被设计为在CSD23382F中工作，以及卷筒包装，该设备也可以用作1沟道数的信道。
CSD23381F4T是TI制造的“MOSFET 12V”。是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 12 V、P沟道12V 2.3A（Ta）500mW（Ta）表面安装3-PICOSTAR、Trans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3引脚PICOSTART/R、MOSFET12 V、P-CH FemtoFET MOSFET”。
