9icnet为您提供由其他公司设计和生产的IRF830B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF830B参考价格为0.54000美元。其他IRF830B封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载IRF830B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF830APBF是MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp，包括管封装，它们设计用于0.211644 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供74 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极导通电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IRF830ASPBF是MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为21 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为21ns，器件的漏极-源极电阻为1.4欧姆，Pd功耗为3.1W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5A，下降时间为15ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF830AS是由IR制造的MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK。IRF830A可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 5A D2PAG、N通道500V 5A（Tc）3.1W（Ta）、74W（Tc。
