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CSD13381F4是MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为在3-XFDFN和Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的3-PICOSTAR，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为200pF@6V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为2.1A（Ta），最大Id Vgs的Rds为180mOhm@500mA，4.5V，Vgs的最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.4nC@4.5V，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.8 ns，上升时间为1.5ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Vgs第栅极-源阈值电压为850mV，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型导通延迟时间为3.7ns，Qg栅极电荷为1.06nC。
CSD13381F4T是MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR，包括1.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与3-ICOSTAR供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于FemtoFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如180 mOhm@500mA，4.5V，Power Max设计为工作在500mW，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作3-XFDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有200pF@6V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为1.4nC@4.5V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为12V，25°C的电流连续漏极Id为2.1A（Ta）。
CSD13383F4是MOSFET CSD13383F412-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR，包括单一配置，它们设计为以2.9 a Id连续漏电流运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供多个信道功能，如1信道，封装盒设计为在PICOSTAR-3中工作，以及卷筒封装，该器件也可以用作500mW Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为2 nC，器件提供53 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有CSD13383F4系列，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、Vds漏极源极击穿电压为12 V，Vgs栅极-源极电压为10 V。
