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CSD13381F4是MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为在3-XFDFN和Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的3-PICOSTAR，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为200pF@6V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为2.1A（Ta），最大Id Vgs的Rds为180mOhm@500mA，4.5V，Vgs的最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.4nC@4.5V，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.8 ns，上升时间为1.5ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Vgs第栅极-源阈值电压为850mV，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型导通延迟时间为3.7ns，Qg栅极电荷为1.06nC。
CSD13306WT是MOSFET 12V N沟道NexFET功率MOSFET，包括700 mV Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于12 V，提供单位重量功能，如0.000060 oz，典型开启延迟时间设计为7 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD13306W，上升时间为11ns，漏极-源极电阻Rds为15.5mOhm，Qg栅极电荷为8.6nC，Pd功耗为1.9W，封装为Reel，封装盒为DSBGA-6，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为3.5A，正向跨导最小值为15S，下降时间为8ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD13306W是MOSFET 12 V N-ChanNexFET？功率MOSFET 6-DSBGA，包括3.5A Id的连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表注释中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供封装外壳功能，如WLP-6，封装设计为在卷筒中工作，以及15.5mOhms Rds漏极源电阻，该器件也可以用作CSD13306W系列。此外，该技术为Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Vgs栅极-源极电压为+/-10V。
