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IRFR430ATRLPBF是MOSFET N-CH 500V 5A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供110 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极导通电阻为1.7欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为8.7ns，沟道模式为增强。
IRFR430ATRPBF是MOSFET N-CH 500V 5A DPAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8.7 ns，典型的关闭延迟时间设计为17 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为27 ns，器件的漏极-源极电阻为1.7欧姆，Pd功耗为110 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5A，下降时间为16ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFR430B，带有FAIRCHILD制造的电路图。IRFR430B采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
