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CSD17483F4是MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR，包括NexFET？系列，它们设计用于替代封装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供FemtoFET等商标功能，封装外壳设计用于3-XFDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的3-PICOSTAR，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为190pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1.5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为240mOhm@500mA，8V，Vgs的最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.3nC@4.5V，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.4 ns，上升时间为1.3ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅极-源阈值电压为850mV，Rds导通漏极-漏极电阻为260mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10.6ns，典型导通延迟时间为3.3ns，Qg栅极电荷为1.01nC，正向跨导Min为2.4S。
CSD17381F4T是MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402，包括1.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与3-PICOSTAR供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于FemtoFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如109 mOhm@500mA，8V，Power Max设计为工作在500mW，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作3-XFDFN包装箱，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有195pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为1.35nC@4.5V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为3.1A（Ta）。
CSD17382F4是TI制造的“MOSFET 30V”。CSD17382F4PICOSTA封装中提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 30 V、N沟道30V 2.3A（Ta）500mW（Ta）表面安装3-PICOSTAR、Trans MOSFET N-CH 30V 2.3B 3引脚PICOSTART/R、MOSFET 30伏、N沟道FemtoFET MOSFET 3-PICOSSTAR-55至150”。
