SSR2N60B

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A（Tc）最大功耗: 2.5W（Ta）、44W（Tc）供应商设备包装: TO-252-3 (DPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
漏源电压标 (Vdss) 600 V
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 490 pF @ 25 V
漏源电流 (Id) @ 温度 1.8A（Tc）
制造厂商
供应商设备包装 TO-252-3 (DPAK)
导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 900毫安, 10V
最大功耗 2.5W（Ta）、44W（Tc）

SSR2N60B 产品详情

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SSR21NHS-031590	基美 (AC)	电感@频率: 159 mH@10 kHz 最大额定电流: 300毫安线路数量: two 工作温度: -25摄氏度~120摄氏度安装类别: 通孔	¥22.45299

SSR2N60B所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SSR2N60B 由设计生产，可通过久芯网进行购买。SSR2N60B价格参考￥2.607444，你可以下载 SSR2N60B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SSR2N60B规格参数、现货库存、封装信息等信息！