9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTF3055-160T3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTF3055-160T3参考价格为0.14000美元。onsemi NTF3055-160T3封装/规格：N通道功率MOSFET。您可以下载NTF3055-160T3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTF3055-100T1G是MOSFET N-CH 60V 3A SOT223，包括NTF3055-100系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008826盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223（TO-261），配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.3W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为455pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为110 mOhm@1.5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为22nC@10V，Pd功耗为2.1 W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为13纳秒，上升时间为14纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds导通-漏极电阻为110毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21纳秒，典型接通延迟时间为9.4ns，正向跨导最小值为3.2S，信道模式为增强。
NTF3055-100T3G是MOSFET N-CH 60V 3A SOT223，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.008826 oz，典型开启延迟时间设计为9.4 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有NTF3055-100系列，上升时间为14ns，Rds漏极-源极电阻为88mOhms，Qg栅极电荷为10.6nC，Pd功耗为2.1W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-3，通道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为3A，正向跨导最小值为3.2S，下降时间为13ns，配置为单双漏极，通道模式为增强型。
NTF3055-100T1是MOTO制造的MOSFET N-CH 60V 3A SOT223。NTF3055-100T1在TO-261-4、TO-261AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 3A SOT223、N沟道60V 3A（Ta）1.3W（Ta）表面安装SOT-223（TO-261）。
NTF3055-160T1G，带有ON制造的EDA/CAD模型。NTF3055160T1G采用SOT-223封装，是IC芯片的一部分。
