9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD15380F3T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD15380F3T参考价格0.99000美元。德州仪器CSD15380F3T封装/规格：MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR。您可以下载CSD15380F3T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD13383F4T是MOSFET 12V N沟道FemtoFET MOSFET，包括CSD13383F4系列，它们设计为使用卷轴封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供Femto FET等商标功能，封装盒设计用于SMD-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有500 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为315 ns，上升时间为123 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为2.9 a，Vds漏极-源极击穿电压为12V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为44mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为96ns，典型接通延迟时间为39ns，Qg栅极电荷为2nC，正向跨导最小值为5.4S，沟道模式为增强。
CSD13383F4是MOSFET CSD13383F412-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于12 V Vds漏极-源极击穿电压，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道、商品名设计用于NexFET以及Si技术，该设备也可以用作CSD13383F4系列。此外，Rds漏极源极电阻为53 mOhm，器件提供2 nC Qg栅极电荷，器件具有500 mW的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为PicoStar-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为2.9 a，配置为单通道。
CSD15380F3带有TI制造的电路图，是IC芯片的一部分，N沟道20V 500mA（Ta）500mW（Ta）表面贴装3-PICOSTAR，Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3引脚PICOSTART/R。
