9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD25483F4T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD25483F4T参考价格0.99000美元。德州仪器CSD25483F4T封装/规格：MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR。您可以下载CSD25483F4T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如CSD25483F4T价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
CSD25481F4是MOSFET P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm，包括CSD25481F4系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于PicoStar-3以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单通道，该器件为1 P通道晶体管类型，该器件具有500 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为6.7 ns，上升时间为3.6 ns，Vgs栅源电压为-12 V，并且Id连续漏极电流为-2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-950mV，Rds导通漏极-漏极电阻为105mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为16.9ns，典型导通延迟时间为4.1ns，Qg栅极电荷为0.913nC，并且正向跨导Min为3.3S。
CSD25481F4T是MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR，包括1.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与3-ICOSTAR供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于FemtoFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如88 mOhm@500mA，8V，Power Max设计为工作在500mW，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作3-XFDFN包装箱，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有189pF@10V输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为0.91nC@4.5V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为2.5A（Ta）。
CSD25483F4是“TI制造的MOSFET 20V。CSD25483F4SOT883封装中提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持”MOSFET 20V、P沟道20V 1.6A（Ta）500mW（Ta）表面安装3-PICOSTAR、Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PICOSTART/R、MOSFET 20V P-CH FemtoFET MOSFET。
