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FDPF5N50TYDTU

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 28W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F (LG-Formed) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 545

数量 单价 合计
545+ 3.98359 2171.05927
  • 库存: 51180
  • 单价: ¥3.98360
  • 数量:
    - +
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 500 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 640 pF @ 25 V
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商
  • 包装/外壳 TO-220-3全包成型引线
  • 最大功耗 28W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.4欧姆@2.5A,10V
  • 供应商设备包装 TO-220F (LG-Formed)

FDPF5N50TYDTU 产品详情

UniFETTM MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET家族。该MOSFET被定制以降低导通电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该设备系列适用于开关功率转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视功率、ATX和电子镇流器。

特色

  • RDS(开启)=1.15Ω (典型)@VGS=10V,ID=2.5A
  • 低栅极电荷(典型值11nC)
  • 低铬(典型值5pF)
  • 100%雪崩测试
  • 改进的dv/dt能力
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • LCD/LED/PDP电视
  • 照明
  • 不间断电源
  • AC-DC电源
FDPF5N50TYDTU所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDPF5N50TYDTU 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDPF5N50TYDTU价格参考¥3.983595,你可以下载 FDPF5N50TYDTU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDPF5N50TYDTU规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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