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FDD6N50TM-WS

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.56062 9.56062
10+ 8.54662 85.46622
100+ 6.66274 666.27440
500+ 5.50402 2752.01250
1000+ 4.60865 4608.65700
2500+ 4.60865 11521.64250
  • 库存: 5000
  • 单价: ¥9.56063
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.56
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 500 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9400 pF@25 V
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16.6 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 900毫欧姆 @ 3A, 10V
  • 最大功耗 89W (Tc)

FDD6N50TM-WS 产品详情

UniFETTM MOSFET是Fairchild Semiconductor基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET家族。
该MOSFET被定制以降低导通电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该设备系列适用于切换功率转换器应用,如功率因数校正

(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX和电子镇流器。

特征
·Ros(on)=900 m2(最大值)@Ves=10V,lD=3A
·低栅极电荷(典型值12.8 nC)
·低铬(典型值9pF)
·100%雪崩测试
·改进的dv/dt能力

应用
·LCD/LED/PDP电视
·照明
·不间断电源
·AC-DC电源


(图片:引线/示意图)

FDD6N50TM-WS所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDD6N50TM-WS 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDD6N50TM-WS价格参考¥9.560628,你可以下载 FDD6N50TM-WS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDD6N50TM-WS规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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