该MOSFET被定制以降低导通电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该设备系列适用于切换功率转换器应用,如功率因数校正
(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX和电子镇流器。
特征
·Ros(on)=900 m2(最大值)@Ves=10V,lD=3A
·低栅极电荷(典型值12.8 nC)
·低铬(典型值9pF)
·100%雪崩测试
·改进的dv/dt能力
应用
·LCD/LED/PDP电视
·照明
·不间断电源
·AC-DC电源
(图片:引线/示意图)
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 9.56062 | 9.56062 |
10+ | 8.54662 | 85.46622 |
100+ | 6.66274 | 666.27440 |
500+ | 5.50402 | 2752.01250 |
1000+ | 4.60865 | 4608.65700 |
2500+ | 4.60865 | 11521.64250 |
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(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX和电子镇流器。
特征
·Ros(on)=900 m2(最大值)@Ves=10V,lD=3A
·低栅极电荷(典型值12.8 nC)
·低铬(典型值9pF)
·100%雪崩测试
·改进的dv/dt能力
应用
·LCD/LED/PDP电视
·照明
·不间断电源
·AC-DC电源
(图片:引线/示意图)
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