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IRFHM4226TRPBF是MOSFET 25V单N-Ch HEXFET PWR 50A，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在FastIRFet的数据表注释中，该FastIRFet提供封装盒功能，如PQFN-8，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.1 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为28 A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为32nC，正向跨导最小值为136S。
IRFHM4231TRPBF是MOSFET 25V单N-Ch HEXFET PWR 50A，包括1.6V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25 V，提供典型的开启延迟时间特性，如8.7 ns，典型的关闭延迟时间设计为12 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为28ns，器件的漏极-源极电阻为3.4mOhm，Qg栅极电荷为20nC，Pd功耗为29W，封装为卷轴式，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为40 A，正向跨导最小值为120 S，下降时间为5.9 ns，配置为单一。
IRFHM3911TRPBF，带有由IR制造的电路图。IRFHM3911 TRPBF可在PQFN封装中获得，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET MOSFET，N沟道100V 3.2A（Ta），20A（Tc）2.8W（Ta）、29W（Tc）表面安装8-PQFN（3x3），Trans MOSFET N-CH 100V 3.2B 8-Pin PQFN EP T/R，MOSFET MOSFETMOSFET，100V，10A，115 m，21nC，PQFN3.3x3.3单体。
