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FDU7N60NZTU是MOSFET N沟道MOSFET 600V 5.5A 1.25欧姆，包括卡套管封装，它们设计为以0.012102盎司的单位重量工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供IPAK-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为90 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Id连续漏极电流为5.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Rds漏极源极电阻为1.05欧姆，晶体管极性为N沟道。
FDU8850是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK。FDU8850提供TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK、N通道20V 35A（Tc）49.5W（Tc）通孔TO-251AB。
FDU8856是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK。FDU8586提供TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK、N通道20V 35A（Tc）77W（Tc）通孔TO-251AB。
