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FDP6670AL

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Ta) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 545

数量 单价 合计
545+ 3.98359 2171.05927
  • 库存: 26871
  • 单价: ¥3.98360
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,171.06
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 包装/外壳 至220-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 最大功耗 68W (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 工作温度 -65摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 6.5毫欧姆 @ 40A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 33 nC @ 5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2440 pF@15 V

FDP6670AL 产品详情

该N沟道逻辑电平MOSFET专门设计用于使用同步或常规开关PWM控制器来提高DC/DC转换器的整体效率。

与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比,这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。

其结果是MOSFET易于驱动且更安全(即使在非常高的频率下),DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

它已针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。

FDP6670AL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDP6670AL 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDP6670AL价格参考¥3.983595,你可以下载 FDP6670AL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDP6670AL规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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