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NTH4L015N065SC1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 142A(Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 296.66918 296.66918
10+ 276.80915 2768.09152
100+ 263.69733 26369.73300
  • 库存: 115
  • 单价: ¥296.66918
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥296.67
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 包装/外壳 至247-4
  • 供应商设备包装 TO-247-4L
  • 最大功耗 500W (Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏、18伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 142A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 18毫欧姆@75A,18V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.3V @ 25毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 283 nC@18 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +22V、-8V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4790 pF @ 325 V

NTH4L015N065SC1 产品详情

NTH4L015N065SC1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTH4L015N065SC1 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTH4L015N065SC1价格参考¥296.669184,你可以下载 NTH4L015N065SC1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTH4L015N065SC1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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